光伏行业遇到产能过剩及双反双重打击,在此寒冬正是大家苦练内功,突破技术瓶颈的好机会。本期专题,就让我们来研究一下大家关注的太阳能电池前沿技术。
光学损失和电学损失:目前提高电池效率的所有努力都集中在降低光学损失和电学损失 波段损失:硅的带隙Eg=1.12eV,对应波长大于1.1μm的光透过 多余能量损失:波长小于1.1μm的光子能量大于Eg,一个光子只产生一个电子,多余能量变热 反射损失:硅表面反射率35%、二极管非线性损失、复合损失、接触电阻损失 |
1.减少光学损失的办法 陷光理论及技术(减少光的反射损失)、最佳减反射的表面积构化技术、最佳前表面减反射涂层技术、最佳后表面反射涂层、最小的栅线遮挡面积 |
2.减少电学损失的办法 完美的晶体结构(高纯度,零缺陷)、理想p-n结技术理想钝化技术、最小接触电阻:SE技术、最大并联电阻、最佳前场和背场 |
SE 技 术 |
表 面 钝 化 技 术 |
MWT
技 术 |
MWT电池方法是将主栅线转移到电池背面,电池正表面保留了金属栅线,并沉积SiNx膜。这样电池表面就有更大面积来采集阳光并将其转化为电能,提高效率。 |
HIT
技 术 |
将晶体硅电池和非晶体硅薄膜电池的优势结合起来,制成的单晶硅-薄膜异质结太阳电池,具有如下优点: 1.工艺温度低; 2.可以使硅片的厚度减薄; 3.光电转换效率高; 4.弱光性能强; 5.温度特性好 国际上实验室研发阶段已达效率:23.7% 国际上产业化组件效率达:18.2% |
其 他 发 展 方 向 |
向薄片化方向发展 无损切割是实现的关键,通过陷光措施,30μm可吸收几乎全部太阳光 带硅技术 直接拉制硅片以免去切片损失 准单晶铸锭技术 比普通多晶硅电池效率高,比普通单晶成本低,过程操作简单 |
背 表 面 场 技 术 |
背表面场技术:良好的背场,低的翘曲和好的附着强度 如何得到更好的背场:使用尺度及形状可控的铝粉和理想的烧结曲线 |
其传统的高效率背面接触电池采用包括光刻工艺的常规半导体加工方法制成。采用这种高成本的方法,可以制成23%地面效率的电池和28.5%的聚光效率。以此为基础,为了降低生产成本,SunPower将其聚光电池加以简化,开发出一种采用丝网印刷工艺的低成本背面接触电池,效率已达22%。 |
SunPower
22% 效率的 背面点 接触电池 |
该电池采用非晶硅薄膜来钝化电池的正,背表面。在异质结中加入一本征型非晶硅层可进一步提高表面钝化的性能,从而提高开路电压。 |
三洋公司 生产的 HIT电池 研发效率 可达23.7% |
其采用印刷金属的方法,在156mm,CZ,N-Si硅片上,得到了21.1%效率的电池,其60片电池制成的组件得到300W的输出功率。由于是双面电池,背面的光照可得到20%额外的输出功率。 |
德国 Konstanz ISEC的 21%效率的 n型ZEBRA IBC电池 |
1.电池背表面的钝化和PERC技术 |
2.三氧化二铝膜对P型表面的钝化 |
3.增加光谱的吸收范围 |
4.用离子注入来改善发射结的性能 |
以上总结的技术均为目前国内外专家们主攻的技术方向,并没有孰优孰劣之分。希望各位有志于提升光伏技术的朋友们,在借鉴这些技术后,能够在提升光伏转换效率的道路上走得更远。